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中國科大參與制定的半導體線寬測量標準正式發布
2020年03月09日 14:28:03
來源：化工儀器網 點擊量：6340
2020年3月6日，中國科學技術大學傳來好消息稱，標準化組織(ISO)正式發布了一項由中國科技大學技術大學物理學院和微尺度物質科學國家研究中心丁澤軍團隊主導制定的標準：“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”
【化工儀器網 行業動態】隨著社會的發展，中國與世界的聯系愈加緊密。無論是市場一體化，還是經濟化的逐步深入，都表明中國必須更加積極主動的融入世界經濟，而在這一過程中，參與制定規則不僅是提升地位、彰顯國家強盛的一種重要手段，更能有效推動中國的對外貿易發展，及保障本國安全、保護消費者權益。
為什么這么說呢？舉個簡單的例子，近日我國一批水果就因為不符合歐盟食品安全標準被警告通報，還有一批醬油被拒絕入境。技術壁壘作為一種正當合法的壁壘，影響著貿易的進行。因此，我國在開展對外交流的同時，也需要積極參與到標準的制修訂當中去，提升我國在交往中的話語權。
2020年3月6日，中國科學技術大學傳來好消息稱，標準化組織(ISO)正式發布了一項由中國科技大學技術大學物理學院和微尺度物質科學國家研究中心丁澤軍團隊主導制定的標準：“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”(Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466))。據了解，該項標準屬于微束分析領域，是半導體線寬測量方面的標準，也是半導體檢測領域由中國主導制定的標準。
半導體行業的發展日新月異，對集成電路器件加工尺寸的控制也要求日趨精細，其中納米尺度線寬測量的精準性直接決定著器件的性能，納米器件尺度的準確和精確(精度<1 nm)測量技術對半導體行業的發展起著至關重要的作用。目前，人們已經發展了多種測量技術手段，如原子力顯微鏡、透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡和測長掃描電鏡(CD-SEM)等。
丁澤軍團隊發展了先進的用于掃描電子顯微術和表面電子能譜學的Monte Carlo模擬計算方法，并結合了“基于模型數據庫”(MBL)方法，提出了“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”的ISO標準(IS)。
標準指定了利用CD-SEM成像表征刻蝕線寬的結構模型及其相關參數、Monte Carlo模擬模型和成像掃描線計算方法、圖像匹配擬合程序和CD參數定值法等內容。與傳統的方法相比，該方法能夠給出準確的CD值，并且把線寬測量從單一參數擴展到包含結構形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案。該標準不僅為半導體刻蝕線寬的CD-SEM準確評測確定了行業標準，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。
半導體行業是近些年快速發展的一個領域，其科研價值和經濟價值都不容小覷，因此受到了諸多國家的關注。對我國來說，參與制定半導體相關的標準，不僅有助于促進半導體評測技術的發展，也有利于提升我國在半導體行業的影響力和競爭力。
資料來源：中科大
資料來源：中科大
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