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            化工儀器網>產品展廳>光學儀器及設備>電子顯微鏡>掃描探針顯微鏡SPM(原子力顯微鏡AFM)>MAKEWAY 掃描隧道顯微鏡/NAP-STM

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            MAKEWAY 掃描隧道顯微鏡/NAP-STM

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            上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

                  上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發鍍膜機,熱蒸發鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統,等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統; - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統-PLD-納米壓??;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

            企業客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


            科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業大學, 南京醫科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業協同創新研究院等。

             

             

             

             

             

             

             

             

            半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

            產地類別 進口 價格區間 1000萬-1500萬
            儀器種類 掃描隧道顯微鏡 應用領域 綜合

            技術指標:

            1. 腔體結構

            1.1. 配置不銹鋼STM分析腔,配備離子泵、機械泵、真空規等泵抽系統,背景真空優于1*10-9 mbar

            1.2配備不銹鋼快速進樣室,配備泵抽系統,背景真空優于5*10-8mbar

            2 近常壓變溫掃描頭

            2.1 最大掃描范圍不小于1.0 μm x 1.0 μm(T>350K)。

            2.2 X/Y方向的補償范圍:≥±750nm;Z方向為±115nm;

            *2.3 氣壓工作范圍,不小于UHV-100 mbar

            *2.4 溫度控制范圍:UHV條件下,不小于220K-700K,10 mbar壓力下, 不小于RT-500K。

            *2.5 低溫下(150 K< T

            *2.6 掃描頭機械穩定性(針尖固定位置不動,在恒壓恒流模式下,Z中噪音的峰峰值):< 5 pm。

            2.7 配備近常壓進氣氣路

            2.8配置溫度控制單元和樣品轉移機械手

            3 STM控制器

            3.1匹配前放增益1V/nA。

            3.2隧穿電流范圍:不小于0.01nA–50nA。

            *3.3具有快速掃描功能,數據獲取速度:不低于1000000像素/秒。

            3.4 配備配套軟件和數據處理系統一套

            4 針尖刻蝕離子源

            4.1用于針尖原位處理,離子能量范圍最大:不小于5 keV。

            4.2離子束流(Ar氣)最大值:≥ 20 μA。

             



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