晶圓刻蝕清洗設(shè)備 芯矽科技
參考價(jià) | ¥ 10000 |
訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
- 品牌 芯矽科技
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 蘇州市工業(yè)園區(qū)江浦路41號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/6/18 14:00:12
- 訪問次數(shù) 14
濕法刻蝕清洗技術(shù)RCA清洗工藝兆聲波清洗技術(shù)單片濕法刻蝕設(shè)備旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
非標(biāo)定制 | 根據(jù)客戶需求定制 |
---|
晶圓刻蝕清洗設(shè)備是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,主要用于去除晶圓表面的薄膜材料(如氧化硅、氮化硅、金屬層)及工藝殘留污染物,確保芯片性能與良品率。其技術(shù)融合了濕法化學(xué)腐蝕、干法等離子體刻蝕、超聲波清洗及兆聲波空化等多種工藝,覆蓋前道光刻膠剝離、后道封裝清潔等全環(huán)節(jié)需求。
一、核心功能與技術(shù)特點(diǎn)
多工藝兼容設(shè)計(jì)
濕法刻蝕模塊:采用SC-1(硫酸+雙氧水)、SC-2(鹽酸+雙氧水)等標(biāo)準(zhǔn)配方,精準(zhǔn)去除光刻膠、氧化物及金屬污染,支持8-12英寸晶圓適配。
干法刻蝕模塊:集成等離子體增強(qiáng)反應(yīng)(RIE/PECVD),通過CF?、SF?等氣體實(shí)現(xiàn)圖形化刻蝕,適用于深硅刻蝕或精細(xì)結(jié)構(gòu)加工。
復(fù)合清洗流程:兆聲波(1MHz高頻)與超聲波(40kHz低頻)協(xié)同作用,剝離納米級(jí)顆粒(≤0.1μm),減少化學(xué)液依賴并降低表面損傷風(fēng)險(xiǎn)。
高精度控制與均勻性保障
溫控系統(tǒng):電加熱搭配PID算法,實(shí)現(xiàn)±0.3℃溫度波動(dòng)控制,確保化學(xué)反應(yīng)穩(wěn)定性,避免局部過熱或腐蝕不均。
流體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化:旋轉(zhuǎn)噴淋臂(360°全覆蓋)與溢流槽設(shè)計(jì),保證化學(xué)液在晶圓表面均勻分布,提升窄間隙(如鰭片結(jié)構(gòu))清洗效果。
顆粒過濾技術(shù):多級(jí)過濾系統(tǒng)(0.2μm濾芯+UF超濾膜),結(jié)合在線顆粒監(jiān)測(cè)(如激光計(jì)數(shù)器),實(shí)時(shí)反饋潔凈度數(shù)據(jù)。
智能化與自動(dòng)化能力
人機(jī)交互界面:觸摸屏預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù)(如SC-1清洗時(shí)間10min、溫度60℃),支持自定義配方存儲(chǔ)與遠(yuǎn)程監(jiān)控。
聯(lián)機(jī)通信:RS-485接口對(duì)接光刻機(jī)、鍍膜機(jī)等設(shè)備,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)節(jié)拍匹配,減少人工干預(yù)。
數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng):記錄每批次晶圓的清洗時(shí)間、化學(xué)液用量及潔凈度檢測(cè)結(jié)果,滿足ISO/SEMI標(biāo)準(zhǔn)要求。
二、安全與環(huán)保設(shè)計(jì)
防泄漏與防護(hù)措施:雙套管結(jié)構(gòu)(內(nèi)管輸液、外管監(jiān)測(cè)泄漏)、PFA材質(zhì)槽體耐腐蝕,緊急排空閥防止溢流,透明觀察窗實(shí)時(shí)監(jiān)控液位。
廢氣處理系統(tǒng):活性炭吸附+催化燃燒裝置處理揮發(fā)性氣體(如硫酸霧、有機(jī)溶劑),符合環(huán)保排放標(biāo)準(zhǔn)。
節(jié)能與資源回收:純水循環(huán)利用率≥80%,化學(xué)液分類回收率≥90%,真空干燥能耗較傳統(tǒng)烘箱降低40%。
三、應(yīng)用場(chǎng)景與行業(yè)價(jià)值
前道制程:光刻膠剝離后的有機(jī)物清除、銅互連結(jié)構(gòu)清洗、柵極氧化層腐蝕,直接影響器件電性能與可靠性。
封裝:TSV(硅通孔)刻蝕后殘留物清理、扇出型封裝(Fan-out)中的臨時(shí)鍵合膠去除。
功率半導(dǎo)體:碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)晶圓的粗化處理,提升外延層附著力。
光伏領(lǐng)域:單晶硅片切割液殘留清洗,減少EL測(cè)試中的隱裂缺陷。
四、設(shè)備優(yōu)勢(shì)總結(jié)
高潔凈度:清洗后表面顆粒數(shù)≤3顆/cm2(Class 5標(biāo)準(zhǔn)),金屬污染<0.1nm,滿足EUV光刻前處理要求。
低損傷率:兆聲波非接觸式清洗避免機(jī)械劃痕,晶圓翹曲變化≤0.2μm,電參數(shù)偏移<0.05%。
靈活適配:模塊化設(shè)計(jì)支持定制化腔室數(shù)量(如單片機(jī)4-8腔)、化學(xué)液路擴(kuò)展及特殊氣體刻蝕需求。
合規(guī)性:符合SEMI S8/S2、ISO 14644-1潔凈度標(biāo)準(zhǔn),適配車規(guī)級(jí)AEC-Q200及醫(yī)療級(jí)器件生產(chǎn)需求。
該設(shè)備通過精密控制、多工藝協(xié)同及智能化管理,解決了傳統(tǒng)清洗工藝的效率低、一致性差、污染風(fēng)險(xiǎn)高等問題,成為半導(dǎo)體制造中保障產(chǎn)品質(zhì)量與生產(chǎn)效率的核心裝備。