MBE 分子束外延系統

1.蒸鍍源Cell&電源：
金屬沉積蒸鍍Cell 
    --zui大溫度: < 1800℃ 
    --坩堝容量和材料: up to 200 ccAl2O3, BN, PBN, etc 
    --包括超高真空shutterCooling shroud
電源： 
    --直流電源：20A, 100V 
    --溫度控制：PID control

2.等離子體Cell&電源：
射頻等離子體Cell
    •坩堝材料：Alumina(Al2O3)
電源：300W射頻發生器with matching box
質量流量控制器：N2 or O2

3.薄膜沉積控制：
•膜厚測量：石英晶體振蕩器
•束流量：微離子規

4.RHHED槍&電源：
•配電功率： max. 30 kV at 1mA
•燈絲功率：max. 3A

5.真空室：
•圓柱形腔體
    •直徑: OD 355 ~1,000 mm (Substrate : up to OD600mm)
    •高度: 700 ~1,000 mm 
真空泵系統及測量
    •低真空：干泵和Convectron真空規 
    •超高真空：兩級渦輪分子泵，低溫泵和離子規

6.系統控制：PLC, 觸摸屏計算機控制