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ThetaMetrisis 自動化薄膜厚度測繪系統介紹
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200: 微米級定位精度自動化薄膜厚度測繪系統介紹
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動薄膜厚度測繪系統，用于全自動圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動X-Y載物臺提供適用尺寸 200mm x 200mm毫米的行程,通過真空固定在載臺上時進行精確測量。可依測量厚度和波長范圍應用需求可在在 200-1700nm 光譜范圍內提供各種光學配置.
應用
o 大學 & 研究實驗室
o 半導體（氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等）
o MEMS 器件（光刻膠、硅膜等）
o LED、VCSEL、BAW 、 SAW filter
o 數據存儲
o 聚合物涂料、粘合劑等。
o其他各種工業……
（聯系我們客制化您的應用需求）
FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 模塊化厚度測繪系統平臺，集成了先進的光學、電子和機械模塊，用于表征圖案化薄膜光學參數。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。
晶圓放置在真空吸盤上，該真空吸盤支持尺寸/直徑達 200 毫米的各種晶圓，執行測量光斑尺寸小至幾微米的強大光學模塊。電動平臺提供XY方向 200 毫米的行程，在速度、精度和可重復性方面具有很高的性能.
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供：
o 實時光譜反射率測量
o 薄膜厚度、光學特性、不均勻性測量、厚度測繪
o 使用集成的、USB 連接的高質量彩色相機進行成像
o 測量參數的統計數據
特征
o 單擊分析（無需初始猜測）
o 動態測量
o 光學參數（n & k、色座標）
o Click2Move 和圖案測量位置對齊功能
o 多個離線分析安裝
o 免費軟件更新
規格
Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | |
Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | |
Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | |
Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | |
15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | |
20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | |
40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | |
50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | |
Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | |
Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | ||||||
Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | |||||
Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | |||||
Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | |||||||
Min. incremental motion | 0.6μm | ||||||||
Stage repeatability | ±2μm | ||||||||
Absolute accuracy | ±3μm | ||||||||
Material Database | > 700 different materials | ||||||||
Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in | ||||||||
Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | ||||||||
Tool dimensions / Weight | 700x700x200mm / 45Kg | ||||||||
測量區域光斑（收集反射信號的區域）與物鏡和孔徑大小有關 | 物鏡 | Spot Size (光斑) | ||
放大倍率 | 500微米孔徑 | 250微米孔徑 | 100微米孔徑 | |
5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm | |
10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm | |
20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm | |
50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm | |
Principle of Operation 測量原理
White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結構的一個波長范圍內的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產生的反射光譜被用來計算確定（透明或部分透明或*反射基板上）薄膜的厚度、光學常數（N&K）等。
*1規格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結果匹配，*3超過15天平均值的標準偏差平均
值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標準偏差100次厚度測量結果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內每日平均值的2*標準差。樣品:硅片上1微米SiO2。