研究背景
研究方法
在這項工作中測試了17種不同類型的LED，首先選擇鈣鈦礦LED，制備了以近紅外發光的碘基材料FPI、NFPI以及綠色發光的溴基材料PCPB的鈣鈦礦LED，這三種LED的最低驅動電壓分別是1.3V、1.3V及1.9V，LED中光子的最高能量分別為1.55eV、1.56eV及2.4eV。這表明三種材料的LED均可在低于帶隙所限制的最小閾值電壓下發光。接下來選擇幾種不同的OLED、QLED以及商業III–V族半導體LED，得到的結論與之前的相似。
圖 1 不同種LED的電致發光強度-電壓的關系。
（a. 近紅外發射FAPBI3(FPI)鈣鈦礦LED；b.近紅外發射NFPI鈣鈦礦LED；c.綠光PCPB鈣鈦礦LED；d.基于Ir(ppy)3的磷光OLED；e.基于4CzlPN的TADF OLED；f.基于F8BT的聚合物OLED；g.基于紅熒烯的熒光小分子OLED；h.基于CdSe/ZnS QDs的II-VI QLED；i.基于 GaAsP 的商用 III-V 無機 LED 。）
研究還發現幾種鈣鈦礦LED驅動電壓的數值從帶隙上方調整到下方時，LED的電致發光EL譜線峰形及峰位都不變。
圖2. 鈣鈦礦LED在高于及低于帶隙所限制閾值電壓下的EL光譜
研究方法
圖3. 不同LED在近帶隙和亞帶隙電壓下的光致發光強度-電壓曲線
圖4. 用于測量在亞帶隙電壓下的 EL 光譜的實驗裝置示意圖
研究背景
與鈣鈦礦太陽能電池類似，鈣鈦礦LED的不穩定性是一重大難題。近年來，鈣鈦礦LED在外量子效率（EQE）方面發展十分迅速，但其在連續工作條件下T50工作壽命（亮度降低到其初始值一半所需時間）一般在10到100小時量級，而實際應用需器件在高EQE、寬輻亮度范圍下實現更長的工作壽命（高于10000小時）。
和III-V族半導體及有機半導體相比，鈣鈦礦在器件工作過程中存在額外的降解通道。電場作用下的離子遷移和鈣鈦礦晶體結構的不穩定性，是影響鈣鈦礦器件穩定性的關鍵問題。解決這些問題，以同時實現長壽命與高效率，是領域的重大挑戰。
研究亮點
作者選取了在高性能太陽能電池與LED均有應用的FAPbI3鈣鈦礦作為基本研究對象，引入雙極性分子SFB10，實現了高效和超穩定的近紅外（~800 nm）鈣鈦礦LED。器件峰值外量子效率(EQE)為22.8%，峰值能量轉化效率(ECE)為20.7%。這些鈣鈦礦LED展現了優異的穩定性，在5 mA/cm2下連續運行超過3600h（5個月）沒有觀察到輻亮度衰減。據加速老化測試獲得，在初始輻亮度（或電流密度）分別為0.21 W/sr/m2 (0.7 mA/cm2)時，預期T50工作壽命為2.4×106h (約270年)。
圖6：鈣鈦礦樣品結構穩定性和熒光穩定性
論文提到的測試方法中，使用海洋光學QE Pro光譜儀進行EQE的J-V曲線測量，使用Maya2000Pro記錄角電致發光強度分布。
?QE Pro Maya2000 Pro 光譜儀
參考文獻
結語
超低驅動電壓的研究為超低壓LED器件的發展以及照明、顯示及通信行業的發展做出貢獻。超長的器件壽命有望提振鈣鈦礦LED領域的信心，這些近紅外LED可用于近紅外顯示、通訊與生物等應用，為鈣鈦礦發光技術進入產業應用鋪平了道路。
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