單晶材料對于研究新材料物理性能起著至關(guān)重要的作用。目前人們已掌握了多種晶體生長技術(shù)，其中，浮區(qū)法晶體生長技術(shù)近幾年發(fā)展為迅速和顯著，因為該技術(shù)不僅可以用于探索合成新材料，而且還可以實現(xiàn)高價態(tài)過渡金屬化合物的單晶生長，這些為于探索非常規(guī)電子關(guān)聯(lián)及磁性等相關(guān)機理研究。

      第三屆浮區(qū)技術(shù)研討會旨在加強晶體生長域的家和學(xué)者之間的密切聯(lián)系，分享經(jīng)驗并交流探討當(dāng)前浮區(qū)技術(shù)的發(fā)展方向。屆及第二屆浮區(qū)技術(shù)研討會(2013年, 2016年)在德國德累斯頓IFW舉辦，本年度的第三屆浮區(qū)技術(shù)研討會將于2019年9月16-18日在歷史名城牛津舉行, 由牛津大學(xué)奧瑞爾學(xué)院和德國SciDre公司聯(lián)合舉辦。

      德國SciDre公司成立于2009年，是德國德累斯頓萊布尼茨固體與材料研究所（IFW Dresden）的個分支機構(gòu)。其*的HKZ系列高溫高壓浮區(qū)法單晶爐初由德累斯頓IFW開發(fā)，德國SciDre公司隨后化了HKZ的設(shè)計方案并升改造了控制系統(tǒng)。

代HKZ單晶爐（2009~2014年）

新代HKZ高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（2015年至今）

      目前，德國SciDre推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐高可實現(xiàn)高達(dá)3000℃高溫，高壓力可達(dá)300bar，多種規(guī)格可根據(jù)用戶需求提供選擇。該單晶生長系統(tǒng)備受國內(nèi)廣大科研工作者的青睞，目前已擁有眾多用戶，包括中國科學(xué)院物理研究所、中國科學(xué)院固體物理研究所、北京師范大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海大學(xué)、南昌大學(xué)以及中山大學(xué)等。