發明涉及半導體核輻射探測器使用的光電二極管和*級前置放大器的場效應管。現有的核輻射探測器使用的光電二極管和場效應管為兩個部件，固定在同一基板上，彼此連接采用金絲點焊。由于金絲有大約10mm長，其分布電容大約在0.2pf左右。
    本發明將光電二極管和場效應管光刻在同一片硅片上，這樣場效應管柵極和光電二極管之間幾乎是直接相連，大大降低分布電容，其分布電容大約在0.01~0.02pf。因此該系統因分布電容產生的噪聲遠小于現有的核輻射探測器。