到2012年3月份為止，RoHS豁免條款達到了38條

1．小型日光燈中的汞含量不得超過5毫克/燈。
2．一般用途的直管日光燈中的汞含量不得超過：
- 鹽磷酸鹽 10毫克
- 正常的三磷酸鹽 5毫克
- 長效的三磷酸鹽 8毫克
3．特殊用途的直管日光燈中的汞含量。
4．本附錄中未特別提及的其它照明燈中的汞含量。
5．陰極射線管、電子部件和發(fā)光管的玻璃內(nèi)的鉛含量。
6．鋼中合金元素中的鉛含量達0.35%、鋁含量達0.4%，銅合金中的鉛含量達4%。
7．-- 高溫融化的焊料中的鉛（即：錫鉛焊料合金中鉛含量超過85%）；
-- 用于服務(wù)器、存儲器和存儲系統(tǒng)的焊料中的鉛（豁免準予至2010年）；
-- 用于交換、信號和傳輸，以及電信網(wǎng)絡(luò)管理的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中焊料中的鉛；-- 電子陶瓷產(chǎn)品中的鉛（例如：高壓電子裝置）。
8．根據(jù)修改關(guān)于限制特定危險物質(zhì)和預(yù)制品銷售和使用的第76/769/EEC 號指令的第91/338/EEC 號指令禁止以外的鎘電鍍。
9．在吸收式電冰箱中作為碳鋼冷卻系統(tǒng)防腐劑的六價鉻。
10．根據(jù)在第7（2）條中提及的程序，歐盟委員會應(yīng)評價以下方面的應(yīng)用：
-- 十溴二苯醚（Deca BDE）；
-- 特殊用途的直管日光燈中的汞；
-- 以下用途中所使用的焊料中的鉛：服務(wù)器、存儲器、用于交換和傳輸?shù)木W(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、電信網(wǎng)絡(luò)管理設(shè)備（旨在設(shè)定本指令豁免部分的特定截止時間）；
-- 燈泡。

11. 順應(yīng)針聯(lián)接系統(tǒng)中使用的鉛。
12. 熱導(dǎo)槍釘模組涂層中所用的鉛。
13. 光學(xué)玻璃及濾光玻璃中所用的鉛及鎘。
14. 微處理器針腳及封裝聯(lián)接所使用的含兩種以上組分的焊料中的鉛（鉛含量在80%與85%之間）。
15. 集成電路倒裝芯片封裝中半導(dǎo)體芯片及載體之間形成可靠聯(lián)接所用焊料中的鉛。
16. 線形白熾燈硅酸鹽燈管中的鉛。
17. 用于專業(yè)復(fù)印設(shè)備的高強度放電燈（HID）中用作激發(fā)的鹵素鉛。
18. 當(dāng)放電燈被用作含磷的仿日曬燈（sun tanning lamps），比如含有BSP （BaSi2O5:Pb），以及用于重氮復(fù)印、平版印刷、捕蟲器、光化學(xué)和食物加工過程的特種燈，含有磷時，比如SMS （（Sr,Ba）2MgSi2O7:Pb），放電燈中的熒光粉觸媒劑的鉛含量在其重量的1％或以下。
19. 緊湊型節(jié)能燈（ESL）中作為主要汞齊合金的特定成分（PbBiSn-Hg和PbinSg-Hg）中的鉛以及作為輔助汞合金PbSn-Hg中的鉛。
20. 液晶顯示器（LCD）用于連接平面熒光燈前后基片用的玻璃中的氧化鉛。
21. 用于硅硼玻璃瓷釉上的印刷油墨中的鉛和鎘。
22. 用于光纖通訊系統(tǒng)的稀土鐵石榴石法拉第旋轉(zhuǎn)器中的雜質(zhì)鉛。（該豁免將于2009年12月31號刪除）。
23. 使用鐵鎳合金或銅引線框架的細間距元器件（不大于0.65mm的引腳間距）的表面處理中的鉛，不包括連接器類。
24. 通孔盤狀和平面陣列的多層陶瓷電容中焊料里的鉛。
25. 等離子顯示屏和表面?zhèn)鲗?dǎo)式電子發(fā)射顯示器構(gòu)件中的氧化鉛，特別是玻璃前后絕緣層，總線電極，黑條（彩色顯色管），尋址電極，阻擋層肋柱，密封玻璃料，以及封裝玻璃，環(huán)狀玻璃，印刷油墨中。
26. 紫外燈黑光燈的玻璃殼中的氧化鉛。
27. 在高性能揚聲器（特指連續(xù)幾小時運作發(fā)聲功率125分貝以上的）中傳感器上作為焊料中的鉛合金。
28. 2002/96/EC指令中規(guī)定的第3類設(shè)備中，以下金屬件防腐層中的Cr6+：用于防腐或者屏蔽電磁干擾的為上漆的金屬片或扣件（該豁免已于2007年7月1號取消）
29. 69/493/EEC指令附錄I（1，2，3，4類）中規(guī)定的水晶玻璃內(nèi)的鉛。
30. 用于音量大于或等于100分貝的大功率擴音器音圈上的導(dǎo)電體上的電氣或機械焊點的鎘合金。
31. 用于無汞平面熒光燈（例如： 用于液晶顯示器或工業(yè)照明），的焊料中的鉛。
32． 用于氬和氪激光管防護窗組合件的封裝玻璃料的氧化鉛。
33. 電力變壓器中直徑100微米及以下細銅線所用焊料中的鉛。
34.金屬陶瓷質(zhì)的微調(diào)電位計中的鉛
35. 2009年12月31日前專業(yè)音頻設(shè)備的光耦合器中使用的光敏電阻的鎘
36. 2010年7月1日前直流等離子顯示器中陰極濺射抑制劑中的汞，其含量不得超過30毫克/顯示器。
37.以硼酸鋅玻璃體為基礎(chǔ)的高壓二極管的電鍍層的鉛。
38. 用氧化鈹連接鋁制成的厚膜漿料中鎘和氧化鎘。