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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測(cè)定儀高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器，為了提高測(cè)量精度，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：塑料巖石介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀生廠商 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣材料介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)相對(duì)電容率測(cè)試儀工作原理本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù) 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測(cè)量?jī)x工頻 BQS-37a型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過(guò)輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 北廣公司核心技術(shù)由北廣公司嚴(yán)格組建 并有專(zhuān)業(yè)的儀器美工專(zhuān)注外觀設(shè)計(jì) 從儀器的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、售后等 *承建企業(yè)體系 。并且研發(fā)更的試驗(yàn)控制儀器 控制方式*升級(jí) 現(xiàn)研發(fā)的微機(jī)控制儀器、控制方式采用無(wú)線藍(lán)牙*技術(shù) 并且可選用 232 / USB/亞太局域網(wǎng)絡(luò)端口，已是全國(guó)* * 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。 ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀 1．Q值測(cè)量 a．Q值測(cè)量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×1 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)和介質(zhì)損耗一體測(cè)試儀裝置： 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：1．Q值測(cè)量 a．Q值測(cè)量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔； c．標(biāo)稱(chēng)誤差 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：陶瓷塑料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀實(shí)驗(yàn)原理: 介電體（又稱(chēng)電介質(zhì)）Z基本的物理性質(zhì)是它的介電性，對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義，而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱(chēng)電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質(zhì)極化能力越強(qiáng)，其介電常數(shù)就越大。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。 本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。 絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。 同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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