在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華，將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體。

目前國(guó)際主流大規(guī)模應(yīng)用的晶體生長(zhǎng)方法，具有技術(shù)方案成熟、生長(zhǎng)過(guò)程簡(jiǎn)單、設(shè)備成本低等特點(diǎn)。技術(shù)難點(diǎn)主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升。

加熱模式

SiC PVT長(zhǎng)晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式。

測(cè)溫方式

溫度一般需要控制2400℃上下，由于生產(chǎn)過(guò)程不可見(jiàn)，為保證晶體生長(zhǎng)品質(zhì)需要精確調(diào)控生長(zhǎng)溫度，有上測(cè)溫、下測(cè)溫、或上下測(cè)溫等多種形式，高溫計(jì)通過(guò)石英窗口、保溫層通孔測(cè)試坩堝底部或頂部的溫度。

SiC長(zhǎng)晶工藝溫度監(jiān)測(cè)方案

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì)；可以選用以下型號(hào)：

推薦一：

IMPAC  ISR 6   ，  1000~3000℃  ，雙色，高溫，小光斑

推薦二：

IMPAC  IGAR 6  Smart  ，100~2550℃ ，雙色，寬量程，低高溫兼顧

推薦三：

IMPAC  IGA 6   ，250~2550℃   ，單色，寬量程，低高溫兼顧