深度解析：晶圓鍵合機

　　晶圓鍵合機(Wafer Bonding Machine)是半導體制造和微電子封裝領域的關鍵設備，用于將兩片或多片晶圓(如硅片、玻璃片或化合物半導體晶圓)通過物理或化學方式結合，形成復雜的三維結構或功能器件。

　　設計特點

　　1.高精度對準系統：

　　采用光學對準或機械對準技術，確保晶圓間對準精度達到亞微米級(通常<1μm)，滿足微納器件的結構要求。

　　2.多模式鍵合工藝：

　　支持多種鍵合技術，包括：

　　直接鍵合(Direct Bonding)：通過表面活化(如等離子體處理)實現無中間層的晶圓結合。

　　陽極鍵合(Anodic Bonding)：用于硅與玻璃的鍵合，利用電場和高溫促進離子遷移。

　　粘合劑鍵合(Adhesive Bonding)：使用環氧樹脂、BCB(苯并環丁烯)等材料作為中間層。

　　金屬共晶鍵合(Eutectic Bonding)：通過金屬合金(如Au-Si)的熔化實現鍵合。

　　臨時鍵合(Temporary Bonding)：用于3D封裝中的載體晶圓固定，后續可解鍵合。

　　3.精密環境控制：

　　鍵合腔體具備真空、惰性氣體(如N?、Ar)或可控濕度環境，減少氧化和污染。

　　溫度和壓力精確調控(溫度范圍：室溫至400℃+，壓力范圍：kPa至MPa)。

　　4.模塊化設計：

　　可更換鍵合頭、夾具和工藝模塊，適應不同尺寸晶圓(如4英寸至12英寸)和材料組合。

　　與傳統鍵合技術的對比

　　應用領域

　　1. MEMS器件制造：慣性傳感器、壓力傳感器、麥克風等器件的空腔密封和結構封裝。

　　2. 3D集成電路(3D IC)：通過TSV(硅通孔)技術實現多層芯片垂直堆疊，提升集成度和性能。

　　3. 光電子器件：激光器、光子芯片的晶圓級封裝，確保光路對準和穩定性。

　　4. 功率半導體：SiC/GaN器件的金屬化鍵合，改善散熱和電學性能。

　　5. 生物醫學微系統：微流控芯片、生物傳感器的晶圓級集成與封裝。

　　6. 封裝技術：Fan-Out(扇出型封裝)、Chiplet(小芯片)的臨時鍵合與解鍵合工藝。