四探針測試儀

許多器件的重要參數和薄層電阻有關，在半導體工藝飛速發展的今天，微區的薄層電阻均勻性和電特性受到了人們的廣泛關注。隨著集成電路研究的快速發展，新品種不斷開發出來，并對開發周期、產品性能（包括IC的規模、速度、功能復雜性、管腳數等）的要求也越來越高。因此不僅需要完善的設計模擬工具和穩定的工藝制備能力，還需要可靠的測試手段，對器件性能做出準確無誤的判斷，這在研制初期尤其重要。四探針法在半導體測量技術中已得到了廣泛的應用，尤其近年來隨著微電子技術的加速發展，四探針測試技術已經成為半導體生產工藝中應用廣泛的工藝監控手段之一。本文在分析四探針技術幾種典型測試原理的基礎上，重點討論了改進Rymaszewski法的應用，研制出一種新型測試儀器，并對實際樣品進行了測試。

四探針測試技術綜述 
四探針測試技術方法分為直線四探針法和方形四探針法。方形四探針法又分為豎直四探針法和斜置四探針法。方形四探針法具有測量較小微區的優點，可以測試樣品的不均勻性，微區及微樣品薄層電阻的測量多采用此方法。四探針法按發明人又分為Perloff法、Rymaszewski法、范德堡法、改進的范德堡法等。值得提出的是每種方法都對被測樣品的厚度和大小有一定的要求，當不滿足條件時，必須考慮邊緣效應和厚度效應的修正問題

RTS-8四探針測試儀     RTS-9雙電測四探針測試儀