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光催化及光敏材料測試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測試設(shè)備

發(fā)光效率測量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

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薄膜性能測試設(shè)備

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電化學(xué)反應(yīng)共聚焦系統(tǒng) 三維光學(xué)共聚焦顯微鏡三維表面輪廓儀
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激光質(zhì)量分析儀 UV光束分析儀 Shack-Hartmann波前傳感器 EUV/XUV波前傳感器波前曲率傳感器光熱弱吸收測量儀高功率激光材料測試儀大光斑激光光束分析儀高功率激光光束分析儀激光光束分析儀
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石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對(duì)卷涂布系統(tǒng) 涂布機(jī)
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桌面型激光直寫系統(tǒng) 臺(tái)式無掩膜光刻系統(tǒng) 納米壓印系統(tǒng)
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太陽能電池測試設(shè)備

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氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

太陽能電池分析技術(shù)(3)：瞬態(tài)光電壓 TPV、開路電壓衰減 OCVD

閱讀：11620 發(fā)布時(shí)間：2022/3/30

本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù)，同時(shí)提取和分析重要的器件參數(shù)，例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。

開路電壓衰減 OCVD

在開路條件下，太陽能電池中外部電流為零。因此，電荷產(chǎn)生等于復(fù)合的電荷。開路條件下通常適合于研究太陽能電池中的載流子再復(fù)合和陷阱動(dòng)力學(xué)。開路電壓衰減（OCVD，有時(shí)也稱為大信號(hào)瞬態(tài)光電壓TPV）測量揭示了器件的復(fù)合和并聯(lián)電阻的信息。在OCVD測量中，首先由光源LED或激光照射太陽能電池，以產(chǎn)生電荷載流子，接著關(guān)閉光源并測量電壓隨時(shí)間的衰減。

圖1 顯示了多種 OCVD 模擬仿真結(jié)果。所有實(shí)例都有一個(gè)共同點(diǎn)，即在光源關(guān)閉后超過 50ms 時(shí)電壓顯著下降，這與并聯(lián)電阻有關(guān)。在“低并聯(lián)電阻"的情況下，對(duì)“基本案例（Base case）"影響最為明顯（圖1（d））。電荷不是緩慢地復(fù)合，而是流過并聯(lián)電阻并在器件中耗盡。當(dāng)分流電阻降低時(shí)，電壓衰減得更快。基本案例并聯(lián)電阻為 160MΩ，50ms 處的拐點(diǎn)是由該并聯(lián)電阻引起的，50ms 之前的電壓衰減與時(shí)間呈現(xiàn)出對(duì)數(shù)關(guān)系。在深陷阱的情況下，衰減率更快，如圖1（c）所示。對(duì)于淺陷阱，電壓衰減較慢，因?yàn)樵谙葳逖舆t復(fù)合時(shí)電荷被固定。在鈣鈦礦太陽能電池中，光源關(guān)閉后觀察到的持續(xù)性電壓，這可能是由移動(dòng)離子引起的。

圖1. 表1中各種情況的OCVD 模擬。光源在T=0 時(shí)關(guān)閉。灰線表示解析（方程（3）），假設(shè)電荷密度均勻和純雙分子復(fù)合。

太陽能電池的開路電壓 Voc 可表示為：

圖2

其中 Eg 是禁帶寬度，q 是單位電荷，kB 是玻爾茲曼常數(shù)，T 是溫度，N0 是有效狀態(tài)密度，n 是電子密度，p 是空穴密度。當(dāng)均勻電荷載流子密度（dn/dt = ?β?n2，n = p）的衰減代入方程（圖2）時(shí)，我們得到

圖3

其中n（0）是開路時(shí)的初始電荷載流子密度，β 是復(fù)合前因子。根據(jù)等式（圖2），電壓信號(hào)會(huì)隨時(shí)間呈對(duì)數(shù)相關(guān)性衰減。這在（圖1）的圖中顯示為灰線。參數(shù) β 是根據(jù)"基本"情況選擇的。（圖3）只適合最開始的數(shù)值模擬，原因是電荷在器件內(nèi)部分布不均勻。靠近電極，密度更高，電荷緩慢流入器件的中間并復(fù)合。因此，該零維模型不適合描述器件中有p-i-n 結(jié)構(gòu)時(shí)的開路電壓衰減；類似的，也可以通過本系列《太陽能電池分析技術(shù)》中提到的其他方法，例如使用 CELIV線性增壓中的OTRACE 方法可抽取載流子的復(fù)合系數(shù)，或者通過瞬態(tài)光電壓 TPV 或強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜 IMVS 來測量載流子壽命。

綜上，OCVD 測量無法直接獲得期望的材料參數(shù)。但是，可用于不同的器件比較或通過數(shù)值擬合模擬來提取相關(guān)參數(shù)。

測量實(shí)例：

OCVD測試：開路電壓-時(shí)間曲線

OCVD測試：歸一化電壓衰減-時(shí)間曲線

TPV瞬態(tài)光電壓和電荷載流子壽命

瞬態(tài)光電壓（小信號(hào)瞬態(tài)光電壓 TPV）經(jīng)常被用于確定有機(jī)太陽能電池中電荷載流子的壽命。"電荷載流子壽命"的概念源于硅太陽能電池，描述了少數(shù)電荷載流子在摻雜體材料中平均存活時(shí)長。少數(shù)電荷載流子壽命 τ 的一般定義是

圖4. 少數(shù)電荷載流子壽命計(jì)算

其中 n 是電荷載流子密度（電子或空穴），R 是復(fù)合電流。在具有高均勻的摻雜濃度（多數(shù)電荷載流子）的器件中，少數(shù)電荷載流子的壽命在空間和時(shí)間上是恒定的。

在 p-i-n 結(jié)構(gòu)中，電荷載流子在本征區(qū)產(chǎn)生并傳遞到電子和空穴接觸層。本征區(qū)沒有摻雜，因此也沒有明確的多數(shù)或少數(shù)載流子；在開路時(shí)，電子和空穴密度也會(huì)發(fā)生空間變化。因此，在 p-i-n 結(jié)構(gòu)中并沒有明確定義電荷載流子壽命與位置有關(guān)性。因此，基于測量的"電荷載流子壽命"的物理結(jié)論可能會(huì)引發(fā)誤導(dǎo)。盡管有這些限制，通常也會(huì)測量薄 p-i-n 結(jié)構(gòu)器件中載流子壽命。作為補(bǔ)充，我們給出了詳細(xì)的瞬態(tài)光電壓TPV載流子壽命，并與理論壽命進(jìn)行對(duì)比，通常模擬的壽命與理論壽命相匹配情況很少。在薄器件中通常測量的是電容放電而不是Bulk中的電荷載流子壽命。

在瞬態(tài)光電壓TPV 實(shí)驗(yàn)中，太陽能電池在偏置光下保持在開路電壓；接著疊加一個(gè)額外的微小光脈沖（或LED脈沖）到器件上，以產(chǎn)生一些額外的電荷并呈指數(shù)衰減。如果光脈沖足夠小，假設(shè)光生載流子密度變化與光電壓增加（Δn~ΔV）成正比，電壓衰減為