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            首頁   >>   技術文章   >>   低功耗薄膜鈮酸鋰微環聲光調制-光波共振“遇見”聲波 | 前沿進展

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            低功耗薄膜鈮酸鋰微環聲光調制-光波共振“遇見”聲波 | 前沿進展

            閱讀:676      發布時間:2025-3-4
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                 研究背景

              集成聲光子技術在經典與量子信息轉換間架起了互通的橋梁,是光子集成回路領域的新興方向,近些年備受關注。高效的微波-光波轉換對于微波信號處理、量子比特傳輸和光機械傳感等應用至關重要。片上集成聲光調制器作為實現這一轉換的關鍵元件,其性能主要依賴于波導材料的壓電和光彈性效應,以及器件結構的設計。


              當前,基于氮化鋁(AlN)、鋁鈧氮(AlScN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)、鋯鈦酸鉛(PZT)等多種壓電材料的集成聲光調制器已被陸續報道,但在滿足不同微波或光波信號處理應用場景時,性能上仍有很大的提升空間。隨著TFLN聲光子學的發展,其優異的壓電和光彈特性,為高性能集成聲光調制器的研究提供了新的契機?;赥FLN平臺,主要有兩種主流的器件設計方案。一種是通過懸浮TFLN構建聲學諧振腔來實現高效聲光調制,但該方案存在器件制備困難和射頻功率處理能力低的技術問題。另外一種思路是基于非懸浮TFLN平臺,結合光學/聲學波導設計與模式調控等技術手段,進一步提高器件調制效率并增強實用性。鑒于此,為了展現集成聲光調制器的功能與潛力,不同的器件原型新進展層出不窮。


              研究創新點

              此研究利用ChG加載的TFLN平臺,展示了一種非懸浮的跑道型微環集成聲光調制器,其結構主要包含TFLN-ChG混合集成微環諧振器與偶數對電極的叉指換能器(IDT),如圖1所示。研究人員在X切的TFLN平板上混合集成具有高光彈性系數的ChG薄膜,形成了混合波導的芯層,用于限制光學模式。IDT則用于產生對稱表面聲波(SAW),作用于跑道微環的雙臂位置,借助光彈和移動邊界效應擾動波導中的光學模式。


              圖1 器件結構的示意圖


              研究團隊通過精心設計IDT電極配置,在2.5 GHz頻率范圍內成功激發出了三種聲學模式,如圖2(b)所示,在非懸浮ChG加載的TFLN微環波導平臺上實現了雙臂聲光調制。在0.84 GHz下,與之前的單臂調制器相比,雙臂調制使效率VπL提升了兩倍多。該調制效率顯著優于現有非懸浮TFLN集成聲光調制器,且與現有懸浮薄膜鈮酸鋰聲光調制器最佳的調制效率相當。同時,研究人員還對比了雙臂配置下,不同電極對數IDT對調制效率的影響。在電極對數為偶數對時,該調制器的等效半波電壓長度積低至9 mV?cm。為闡明聲光相互作用強度,研究人員重新定義了行波調制下的聲光耦合強度,并給出了微波-光波轉換效率的具體表達。


              圖2 薄膜鈮酸鋰混合集成微環聲光調制器的光學透射譜(a)與S參數表征(b)


              另外,研究人員從微環諧振器的理論出發,重新定義了適用于微環聲光調制器的調制效率解析表達式。通過改變藍失諧偏置點位置,分別通過數值計算和實驗測量深入分析了調制效率的演變,詳細研究了偏置點位置對調制效率的影響,相關結果如圖3(c)。特別在射頻功率RF = 12 dBm的情況下,調制器產生了共計五階的光邊帶,如圖3(d)所示。借助光邊帶理論擬合,很好的展現了雙臂集成微環聲光調制器優異的調制效果。

              圖3 三種聲學模式下,偏置波長對聲光調制效率的影響(c)和最佳的調制光邊帶結果(d)



              總結與展望

              該研究成功開發出一種混合集成的片上微環聲光調制器。通過合理的理論仿真探究,優化光學波導和IDT設計,實現了高達9 mV?cm 的調制效率。研究人員還深入分析了偏置點對調制效率的影響,揭示了調制效率VπL的演變規律。計算得出了該調制器在0.84 GHz時的聲光耦合系數和光子數轉換效率,展示了其在微波到光波轉換方面的潛力。該高效微環聲光調制器的問世,為片上壓電光機械相互作用器件的研究開辟了新途徑,有望推動高性能微波光子處理器、光隔離器、激光雷達(LiDAR)、量子信息轉換等先進集成芯片的發展。


                參考文獻: 中國光學期刊網 



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