高低溫沖擊氣流儀ThermoTest Series通過其超快溫變能力和準(zhǔn)確溫控技術(shù)，在芯片測試中模擬嚴(yán)苛溫度環(huán)境，顯著提升芯片良率。以下從技術(shù)原理、測試場景、良率提升機(jī)制三個(gè)維度展開：
一、超快溫變技術(shù)原理
1、氣流沖擊機(jī)制
雙區(qū)獨(dú)立控溫：設(shè)備內(nèi)部設(shè)高溫區(qū)（+200℃）和低溫區(qū)（-90℃），通過氣動(dòng)閥門快速切換氣流通道，實(shí)現(xiàn)10秒內(nèi)完成-55℃→+125℃溫變。
沖擊噴嘴設(shè)計(jì)：采用陣列式噴嘴將冷熱氣流直接噴射至芯片表面，結(jié)合PID+模糊控制算法，確保溫度均勻性。
2、準(zhǔn)確溫控系統(tǒng)
傳感器布局：在測試腔體內(nèi)集成紅外熱像儀+鉑電阻傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測芯片表面及環(huán)境溫差。
動(dòng)態(tài)補(bǔ)償：通過自適應(yīng)控溫模型，根據(jù)芯片熱容量動(dòng)態(tài)調(diào)整制冷功率，控溫精度±0.1℃。
二、芯片測試核心場景覆蓋
1、嚴(yán)苛環(huán)境模擬
溫度沖擊測試：模擬芯片從寒（-65℃）到高溫（150℃）的瞬時(shí)切換，驗(yàn)證封裝材料抗熱應(yīng)力能力。
循環(huán)老化試驗(yàn)：在-40℃~125℃范圍內(nèi)進(jìn)行循環(huán)，篩選早期失效芯片。
2、工藝缺陷探測
晶圓級(jí)測試：對(duì)未切割晶圓進(jìn)行分區(qū)溫控，定位局部過熱或過冷導(dǎo)致的良率損失。
封裝后驗(yàn)證：在250℃高溫下檢測引線鍵合可靠性，良率提升。
三、良率提升量化機(jī)制
1、失效模式阻斷
熱膨脹失配：通過快速溫變測試，提前發(fā)現(xiàn)芯片與基板CTE（熱膨脹系數(shù)）失配問題，良率提升。
電遷移風(fēng)險(xiǎn)：在高溫段（150℃）加速金屬導(dǎo)線原子擴(kuò)散，良率提升。
2、工藝優(yōu)化反饋
光刻膠穩(wěn)定性：在-20℃~85℃循環(huán)中優(yōu)化光刻工藝窗口，線寬均勻性改善。
薄膜沉積優(yōu)化：通過溫度沖擊測試調(diào)整CVD工藝參數(shù)，薄膜缺陷率降低。
四、國內(nèi)設(shè)備商創(chuàng)新方案
冠亞恒溫TES系列熱流儀：
升降溫速率非常迅速，可實(shí)現(xiàn)對(duì)光通信產(chǎn)品進(jìn)行快速溫度沖擊；
進(jìn)行溫度循環(huán)測試時(shí)，能夠穩(wěn)定的維持在某個(gè)溫度點(diǎn)，精度可達(dá)±0.5℃；
可針對(duì)PCB中的某個(gè)IC元件進(jìn)行溫度測試而不影響其他元器件；
可在實(shí)驗(yàn)室或者工作平臺(tái)上進(jìn)行溫度測試，升降溫時(shí)間可控，可程序化操作。
高低溫沖擊氣流儀ThermoTest Series通過超快溫變能力+準(zhǔn)確溫控技術(shù)，系統(tǒng)性解決芯片測試中的熱應(yīng)力、電遷移等關(guān)鍵難題，助力良率提升。
