半導體材料（硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率的測量

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 21:58

方塊電阻測定儀用于測量半導體材料（硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴散層、外延層、ITO導電薄膜、導電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架及四探針頭組成。

儀器是配精度為0.05%的恒流源、恒流源開關以及雙數字表，在測量電阻率的同時，數字表監測電流變化，儀器可選配測量軟件用于測量硅片時可自動進行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算出硅片電阻率、徑向電阻率的MAX百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均勻度。

規格參數

測量范圍：

測電阻率：0.00001～199000Ω·cm

測方塊電阻：0.001～1000000Ω/□

恒流源：

直流輸出電流：0.001～100mA五檔可調

量程范圍：0.001～0.01mA、0.01～0.10mA、0.10～1.0mA、1.0～10mA、10～100mA

恒流精度：±0.05%

直流數字電壓表：

測量范圍：0～199.99mV

靈敏度：1μV

基本誤差：±（0.004%讀數+0.01%）

輸入阻抗：≥1000MΩ

測量精度：1～1000Ω·cm≤3%

供電電源：AC 220V±10%，50z/60Hz

功率范圍：12W

環境溫度：23±2℃

相對濕度：≤65%

四探針電阻率/方阻測試儀0.00001-19900Ω·cm（高阻型）

型號：GDSKDY-1H

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