1. 產品概述
該ICPCVD工藝模塊專門設計用于在相對較低的生長溫度下生產高質量的薄膜，其核心技術是采用高密度遠程等離子體來實現。這種設計不僅使得薄膜的成核和生長過程更加可控，還有效地提高了薄膜的物理和化學性能。
通過高密度等離子體的使用，利用源自等離子體中的活性物質和離子，能夠促進化學反應的發生，使得薄膜在較低的溫度環境中仍能實現優質的沉積。這意味著在沉積過程中，能夠有效地避免基板因過高溫度而出現的熱損傷，從而保護基材的結構與性能，確保最終產品的可靠性和穩定性。
此外，該工藝模塊為材料的多樣性和應用廣度提供了可能，適用于多種類型的薄膜沉積，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。這使其在半導體、光電及微機電系統 (MEMS) 等行業中具有廣泛的應用前景。
2. 特色參數
更好的均勻性、高產量以及高精度的工藝
高質量薄膜
電的適用溫度范圍寬
兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
快速更換不同尺寸晶圓
購置成本低且易于維護
緊密的設計，布局靈活
電阻絲加熱電，高溫度可達400°C或1200°C
實時監測清洗工藝， 并且可自動停止工藝
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