PECVD等離子沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載...
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣...
等離子沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
等離子沉積設(shè)備低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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