在英特爾的發展藍圖中，2007年年末推出45納米技術的產品，2009年推出32納米技術的產品，2011年推出22納米技術的產品。

“納米”其實是英文“nanometer”的譯名，是一種度量單位，是十億分之一米，約相當于45個原子串起來那么長。而納米技術也就是在納米尺度(0.1nm到100nm之間)的研究物質的相互作用和運動規律，以及在實際應用中利用這些規律的多學科的科學和技術。

我們更加熟悉的是在處理器上的納米技術，越來越小的納米工藝數值從一個側面推動了信息產業這幾十年爆炸式的增長。130納米工藝就表示處理器內部晶體管之間連線寬度為130納米，90nm工藝就代表了處理器內部晶體管之間連線寬度都是90nm大小的，同理65nm、45nm和未來的32nm也是如此。

45納米晶體管絕緣層和開關閘上取得重大突破，這一突破可順利實現產品由65納米向45納米的順利過渡。英特爾稱已于日前成功開發出基于45納米技術的試產樣品，代號為“Penryn”。 Penryn處理器未來將涵蓋筆記本電腦、臺式機、工作站和企業市場。此外，雖然下一代45納米產品功耗減少，但TDP設定卻仍保持與現時65納米產品相同，這意味著45納米技術將在主頻上進一步進行提升。

不過，與前一代技術相較，45納米制程令晶體管密度提升接近兩倍，因此英特爾得以增加處理器之晶體管總數，或縮小處理器體積，令產品更具競爭力，而晶體管開關動作所需電力更低，耗電量減少近30%，雙核心處理器Wolfdale將內建超過4.1億個晶體管，四核心處理器Yorkfield達至8.2億個晶體管。在英特爾的發展藍圖中，2007年年末推出45納米技術的產品，2009年推出32納米技術的產品，2011年推出22納米技術的產品。

英特爾克服重重困難，實現45納米工藝處理器的量產，讓CPU的發展繼續遵循著摩爾定律走下去，這對整個半導體集成電路制造業來說可謂是意義深遠。英特爾45納米工藝制程在以下幾個方面得到了突破：

解決晶體管漏電 革命性的High-k材料和金屬柵極晶體管

可以推斷的是，CPU生產廠商會不遺余力地減小晶體管間的連線寬度，以提高在單位面積上所集成的晶體管數量，降低成本并提高性能。但晶體管連線寬度的不斷降低終容易導致體積過小，密度過大，這就會產生晶體管相互之間的 “漏電”問題，一些晶體管有可能在“關閉”狀態下仍然是通電的，這樣就會帶來致命的電路錯誤。

晶體管漏電所帶來的危機不僅僅是電路錯誤。隨著芯片中晶體管數量增加，原本僅數個原子層厚的二氧化硅絕緣層會變得更薄進而導致泄漏更多電流，隨后泄漏的電流又增加了芯片額外的功耗。從0.13微米到0.09微米，再到90納米、65納米，不少CPU并未降低核心電壓，其中一部分原因就是為了解決晶體管漏電問題。

英特爾決定利用Hafnium(鉿，元素周期表中序號72)為基礎來制造 High-k材料，由此使得High-K材料對電子泄漏的阻隔效果比二氧化硅強。這種材料對電子泄漏的阻隔效果可以達到傳統材料二氧化硅的10倍，電子泄漏基本被阻斷，可大幅減少漏電量。

在英特爾45納米制程技術中，High-K材料與金屬柵極的組合，使驅動電流或晶體管性能提高了20%以上。同時，使源極-漏極漏電降低了5倍以上，大幅提高了晶體管的能效。

英特爾即將推出的下一代45納米處理器(研發代碼：Penryn)中，一個45納米晶體管可在1秒鐘內切換約3千億次。一個45納米晶體管開關一次所需時間，僅相當于以光速(每秒30萬公里)穿行0.1英寸所需的時間。

45納米解決了信號延遲問題

45納米制程工藝在65納米工藝基礎上更進一步，采用了10層銅導互連技術，使得硅晶圓上的晶體管集成度再次提高，隨之而
45納米的功耗進一步降低

Intel 45納米工藝制程有效的降低了功耗問題，測試數據顯示Intel 45納米工藝在性能提升和功耗降低兩個方面都都表現很好。Intel 45納米制作工藝突破CMOS制造的極限，讓摩爾定律得到延續，是一次具有歷史意義的突破。

自從65納米工藝出現后，硅片上的氧化硅層厚度只有5個硅原子的高度，再發展下去，隨之而來的就是CPU的漏電問題，這在CMOS制造工藝上已經達到了極限。45納米制造工藝與65納米工藝相比，不是簡單的將連線寬度減少了20納米，，45納米制造工藝可以在不增減芯片體積的前提下，在相同體積內集成多將近一倍的晶體管，使芯片的功能得到跨站。因此，信位寬度越小，晶體管的極限工作能力就越大，也就以為著更佳出色的性能。

英特爾采用45納米制程技術開發出*可工作的處理器——這些處理器是英特爾下一代英特爾酷睿2和至強系列處理器中Penryn系列的一部分。通過這些處理器的開發，英特爾已經成功地解決了阻礙摩爾定律發展的一些重大障礙。消除這些障礙將終制造出能效更高、成本更低、性能更強的計算產品，應用于從筆記本、移動設備到臺式機和服務器不一而足。(