目錄:廈門超新芯科技有限公司>>樣品臺(tái)>>Volcano Series In Situ Holders>> 透射電鏡雙傾熱電原位系統(tǒng)
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更新時(shí)間：2023-12-27 09:36:52瀏覽次數(shù)：7802評(píng)價(jià)
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| 適用電鏡 | Thermo?Fisher/FEI,?JEOL,?Hitachi |
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優(yōu)異的電學(xué)性能
1．采用模擬校驗(yàn)設(shè)計(jì)的芯片電極，電場分布均勻、電位穩(wěn)定，芯片表面的保護(hù)性涂層保證電學(xué)測量的低噪音和精確性，電流測量精度可達(dá)皮安級(jí)。
2．MEMS微加工特殊設(shè)計(jì)，在加熱過程中可同時(shí)進(jìn)行電學(xué)試驗(yàn)和表征，不影響溫度穩(wěn)定性。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1．高精密紅外測溫校正，微米級(jí)高分辨熱場測量及校準(zhǔn)，確保溫度的準(zhǔn)確性。
2．四電極的超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。
4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01℃。
5．DUTE多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì)，控制加熱過程熱擴(kuò)散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。
6．加熱絲外部由氮化硅包覆，不與樣品發(fā)生反應(yīng)，確保實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。
智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備
1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，程序自動(dòng)化控制傾轉(zhuǎn)角度。
2．自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等，同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫，可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案，提升實(shí)驗(yàn)效率。
3．內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序，每塊芯片的每次控溫都能根據(jù)電阻阻值變化，重新進(jìn)行曲線擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。
4．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。
| 類別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
| 基本參數(shù) | 臺(tái)體材質(zhì) | |
| 電極數(shù) | 4 | |
| 視窗膜厚 | 無膜或20nm | |
| 漂移率 | ＜0.5 nm/min（穩(wěn)定狀態(tài)） | |
| 傾轉(zhuǎn)角 | α ≥ ±25°，β ≥ ±25°（實(shí)際范圍取決于極靴型號(hào)） | |
| 適用電鏡 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
| 適用極靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持升溫過程及高溫檢測 |
Ag2Te基熱電材料隨電壓變化情況
0.4v電壓Ag2Te基熱電材料高分辨
Ag2Te 基熱電材料由于能夠通過內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電能和熱能之間的相互轉(zhuǎn)換;因此，在進(jìn)行施加電壓實(shí)驗(yàn)過程中會(huì)出現(xiàn)隨著電壓的增大，樣品自身溫度升高的現(xiàn)象;研究得知隨著電壓持續(xù)升高，樣品表面結(jié)構(gòu)變化明顯，紋路由不規(guī)則塊狀演變成條狀或消失。而且，通過降低電壓的過程，我們發(fā)現(xiàn)該材料升高或降低電壓時(shí)，表面結(jié)構(gòu)發(fā)生變化的過程是可逆的，表明該材料具有優(yōu)異的熱電性能和重復(fù)使用性能。
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