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            技術(shù)文章

            AB LC-MS/MS分析違禁藥物的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

            閱讀:1042          發(fā)布時(shí)間:2019-7-23

            質(zhì)譜工作原理:

             

            電噴霧離子源(ESI

            ☆ 強(qiáng)電場(chǎng)下溶液帶電,在毛細(xì)管出口形成帶電液滴,溶劑蒸發(fā),液滴表面電場(chǎng)增強(qiáng),離子逸出表面,蒸發(fā)進(jìn)入空間噴口離子含有正離子,也含有負(fù)離子,噴口電場(chǎng)的極性和溶液的性質(zhì)決定了何種離子占優(yōu)勢(shì);離子帶電荷的數(shù)量取決于被分析物結(jié)構(gòu)和溶劑。

            ☆ 由于離子帶多電荷,適于用來(lái)分析極性分子和生物大分子。

             

            TurboV

            TM離子源:

            ☆ 新型陶瓷加熱技術(shù)、雙渦流氣氣化技術(shù),使樣品的離子化效率大化。

            ESI流速為2~2000 µL/minAPCI流速可達(dá)~3000 µL/min。

            ☆ 新型離子取樣界面設(shè)計(jì)更符合離子運(yùn)動(dòng)動(dòng)力學(xué),保證了更高靈敏度。

            APCI離子源自清潔探頭設(shè)計(jì)允許HPLC的流量更高,分析通量更高;“即插即用型”ESIAPCI接口切換設(shè)計(jì)使用更方便。

            NanoSpray®電噴霧離子源: 專(zhuān)為低納升流速提高靈敏度而設(shè)計(jì)。 MicroIonSpray®電噴霧離子源:納升流速至2µL/min。 IonSpray®電噴霧離子源:流速為2~200µL/min。

             

            大氣壓化學(xué)電離離子源(APCI

            ☆ 溶液在氣流作用下形成氣溶膠,蒸發(fā),電暈放電使溶劑電離,使質(zhì)子轉(zhuǎn)移或電子捕獲,使樣品

            帶電。

            ☆ 通常樣品帶一個(gè)電荷,可能有少量碎片。

            ☆ 適于分析極性小或中性的分子。

             

            PhotoSpray

            ®大氣壓光離子源

            ☆ 適合于分析低極性化合物,大大提高了靈敏度。

            離子源

            DuoSpray

            ®離子源:

            ☆ 允許用戶同時(shí)或交替使用ESIAPCI離子源。

            氣簾接口☆ 氣簾接口是目前世界上性能超群的接 口,它采用小流量反向氮?dú)饬鞔祾叩姆?法,增加溶劑的霧化,大大提高靈敏 度。 ☆ 可十分有效地防止接口的污染,反向氮 氣流有效保護(hù)取樣孔免收微粒的污染。 ☆ 適合于液相色譜非揮發(fā)性緩沖劑及各種 流動(dòng)相條件。

             

            AB LC-MS/MS串聯(lián)四極桿質(zhì)量分析器掃描方式:

            1、子離子掃描(Product Ion Scan):Q1設(shè)定選擇母離子Q2碰撞解離,Q3掃描子離子; 提供結(jié)構(gòu)信息和碎片離子的鑒定。

            2、母離子掃描(Precursor Scan):Q1掃描母離子,Q2碰撞解離,Q3選擇子離子;尋找特征離子的來(lái)源,常用于藥物代謝、農(nóng)/獸藥殘留分析。

            3、中性丟失掃描(Constant Neutral Loss):Q1掃描母離子,Q2碰撞解離,Q3掃描子離子,同時(shí)保持Q1Q3的差值不變(丟失同一質(zhì)量的中性碎片);常用于蛋白質(zhì)修飾如磷酸化、糖基化等,以及化合物離子中脫水分子等中性碎片的檢測(cè)。

            4、多反應(yīng)監(jiān)測(cè)(MRM):Q1設(shè)定選擇母離子,Q2碰撞解離,Q3設(shè)定選擇子離子;大化地增加化合物的信噪比;常用于定量和快速篩選化合物,如食品安全檢測(cè)。

             

            LINAC

            ®高壓碰撞室技術(shù)

            ☆ 一般的串聯(lián)MS/MS系統(tǒng)當(dāng)多反應(yīng)監(jiān)測(cè)中存在相同質(zhì)荷比的離子時(shí),由于碎片離子在碰撞室中

            的滯留,會(huì)產(chǎn)生“記憶效應(yīng)”(俗稱“鬼峰”)。LINAC

            ®設(shè)計(jì)使離子連續(xù)加速,快速

            通過(guò)碰撞池,到達(dá)Q3,可有效地消除了這種現(xiàn)象。

            ☆ 同時(shí)進(jìn)行多組分分析,提高分析速度。

            ☆ 減少離子駐留時(shí)間,并且沒(méi)有靈敏度損失;利于離子形成。

            ☆ 更利于方法開(kāi)發(fā)。

             

             

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