應用注意事項正如上文所述，因為待測元素的電離效率很低，或者同時受到來自 NMP 基體中多原子離子的嚴重干擾，這一應用極富挑戰性。如表 1 中所示，應用 ICP-MS 非反應池模式測得的 BEC 都在 ppm 級范圍內。S、P 和 Cl 的離子化效率很低（其中 Cl 的離子化率不足 1%），而 Si (BEC >100 ppm) 的峰形和高強度的 N2 及 CO 峰相重疊。雖然傳統的四極桿 ICP MS (ICP-QMS) 在反應池模式下可以在某種程度上減少這種干擾，但 BEC 的水平仍保持在幾百 ppb 到幾ppm，無法滿足半導體工業測量水平的要求。

實驗試劑和樣品制備半導體級 NMP 購自 Kanto Chemical 公司（Kusaka-shi，日本），經過 120 °C 亞沸蒸餾進一步純化后，將 NMP 樣品用高純 HNO3（Tamapure 100 純度級別，購自 TAMAChemicals 公司，Kawasaki-shi，日本）酸化，配成 1%（質量濃度）的 HNO3 溶液。經過酸化的 NMP 直接用于分析（無需進一步的處理或稀釋），用標準加入法 (MSA) 測定 S、P、Si 和 Cl。S、P、Si 的單元素標準品購自 Kanto Chemical公司，Cl 標準品用 NaCl（Wako Pure ChemicalsIndustries 公司，大阪，日本）制備。

 

儀器采用 Agilent 8800 電感耦合等離子體串聯質譜儀半導體行業專用配置（鉑接口錐和高效傳輸離子透鏡）測定。使用內徑為 1.5 mm 的有機專用炬管 (G3280-80080) 代替 2.5 mm標準口徑的 ICP 石英炬管，降低了有機基質產生的等離子體負載。采用 C-flow 200 PFA 霧化器 (G3285-80000) 在載氣 (CRGS) 流量 0.50 L/min 下以自吸模式進行霧化。可以選擇在載氣中通入 20% 的 O2，以防止在接口錐形成積碳。然后對等離子體和反應池的參數進行優化，以獲得適于該應用的*佳性能。

 

等離子體調諧—參數優化圖 1 為 1ppb Co 分別加標到水溶液和 NMP 中得到的信號圖，二者均預先經 1% HNO3 酸化，以 Co 信號對補償氣(MUGS) 流量的變化繪制曲線。

 

儀器采用 Agilent 8800 電感耦合等離子體串聯質譜儀半導體行業專用配置（鉑接口錐和高效傳輸離子透鏡）測定。使用內徑為 1.5 mm 的有機專用炬管 (G3280-80080) 代替 2.5 mm標準口徑的 ICP 石英炬管，降低了有機基質產生的等離子體負載。采用 C-flow 200 PFA 霧化器 (G3285-80000) 在載氣 (CRGS) 流量 0.50 L/min 下以自吸模式進行霧化。可以選擇在載氣中通入 20% 的 O2，以防止在接口錐形成積碳。

……

結論S、P、Si 和 Cl 對四級桿 ICP-MS 分析都是挑戰性的元素，而對 NMP 這樣的有機基質，這些元素的檢測會更加困難。使用 Agilent 8800 電感耦合等離子體串聯質譜儀，在其*的 MS/MS 模式下采用質量轉移方法，對所有分析物都獲得了很低的 BEC，充分展示了 ICP-MS/MS 在應對 ICP-MS 領域*挑戰的應用中表現出的靈活性和*的性能。