半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。我們現代生活中的電子產品使用的集成電路，就是由半導體材料經過幾百次的工序，制作成芯片后，封裝而成。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是各種半導體材料中應用較廣泛的。
從晶圓到芯片，是一個很復雜的過程，主要包括以下步驟：單晶生長、晶棒切割、表面研磨清洗、電路設計及掩膜制作、氧化、光刻膠涂覆、曝光、蝕刻、氣體離子注入、化學氣相沉積、金屬化、檢測切分、芯片封裝等。這些工序會使用到多種材料、化學試劑、氣體，這些物質的純度和組分含量都有嚴格的要求，需要嚴格的檢測保證產品的性能。
PerkinElmer公司一直是ICP-MS的技術者，在半導體行業也有豐富的經驗。新的NexION 2000采用半導體專屬SilQ石英進樣系統，高效去除沉積離子的三錐接口，三路碰撞反應氣和三種操作模式的通用池等*技術，可獲得極低的背景等效濃度。針對鹽酸、有機基質等業界較難分析和處理的樣品，PerkinElmer推出了完善的解決方案，通過反應模式等*方法去除背景干擾，實現優異的檢出限及穩定性。值得一提的是，NexION 2000的檢測駐留時間可低至10µs，從而有效用于單顆粒分析。可用于分析拋光材料中顆粒粒度和濃度，這對改進拋光技術有重大意義。
PerkinElmer公司還開發了各種自動分析技術：VPD（Vapor Phase Decomposition）-ICP-MS技術，全自動的進行晶圓的表面處理及溶液掃描、回收，以及高靈敏度ICP-MS分析；Online-ICP-MS技術，全自動取樣和過濾化學試劑和溶劑樣品，自動分析其中的金屬雜質。
封裝是集成電路生產的后一步，把硅片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接，也需要進行充分的測試。電子產品中還大量使用其他材料，包括LCD，OLED，光學薄膜、電路板等，都需要對其進行嚴格的檢測。此外，太陽能電池也用到半導體材料，其光學性能直接影響光電轉化效率，同樣需要進行研究和檢測。
PerkinElmer公司在近80年的研發生產過程中，創新和開發了大量科學儀器，有著完善的分析儀器產品線。ICPMS以外，還有全套的色譜、質譜、分子光譜、熱分析等產品，均在半導體行業發揮了重要的檢測和研發作用。
本文集匯總了珀金埃爾默公司在半導體領域，以及周邊材料檢測的應用案例。
v晶圓
o 利用結合脫溶劑裝置的O2-DRC ICP-MS分析高純硅介質中的雜質
o 使用NexION 2000S ICP-MS 檢測高硅基體樣品中的微量磷雜質
v拋光材料
o 使用單顆粒電感耦合等離子體質譜法（SP-ICP-MS）分析CeO2 化學機械拋光化漿料
o 單顆粒ICP-MS測定化學-機械整平中使用的元素氧化物納米顆粒懸浮物的特性
v清洗試劑
o 利用NexION 2000S ICP-MS測試9.8%硫酸中超痕量的鈦、釩、鉻和鋅
o 利用NexION ICP-MS 分析高純度過氧化氫中的微量硅
o NexION 2000 ICP-MS 半導體級鹽酸中的雜質分析
v光刻膠
o 利用NexION 2000S ICP-MS 分析NMP介質中的超痕量雜質
o 使用動態反應池氧氣模式(O2-DRC)分析有機樣品和無機樣品中的雜質
v有機物分析
v氣體分析
o 利用 NexION ICP-MS 分析高純度氣體中的超痕量雜質
v金屬化材料
o 利用ICP-OES 分析金(Au)、鈀(Pd)鍍金溶液中的雜質
v封裝檢測
o Spectrum Two 電子產業鏈產品用膠水固化率測試
v周邊材料
o 用PerkinElmer Lambda 1050+高性能紫外可見近紅外分光光度計測量薄膜吸收率（k）和折射率（n）
o 利用ICP-OES 分析高純度銦(In)、鎵(Ga) 中的雜質
o TMA 4000 在電子工業領域中使用標準測試方法的應用
o Avio 200 ICP-OES 滿足危害性物質限制（RoHS）指令要求
o Lambda 1050+ 用于生物傳感器-手機IR孔透射率測試
o DSC和DMA及TG-GCMS在環氧樹脂材料研究中的應用
o 利用配備ARTA附件的LAMBDA 1050+紫外可見近紅外分光光度計測定光學涂層的角度分辨反射和透射全譜
v光伏應用
o 用紫外-可見-近紅外分光光度計測量粉末狀TiO2帶隙的簡單方法
v方法研究
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